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      漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大（dà）漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      20

      驱动电压(V)：

      10

      通道（dào）极（jí）性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      650V,190mΩ,20A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技（jì）术的功率MOSFET


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